X
第三代半導(dǎo)體材料：以氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、氧化鋅（ZnO）、金剛石為四大代表，是5G時代的主要材料。
起源時間：M國早在1993年就已經(jīng)研制出第一支氮化鎵的材料和器件。而我國最早的研究隊(duì)伍——中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所，在1995年也起步了該方面的研究。
重點(diǎn)：市場上從半年前炒氮化鎵的充電器時，市場的反應(yīng)一直不夠強(qiáng)烈，那是因?yàn)楫?dāng)時第三代半導(dǎo)體還沒有被列入國家“十四五”這個層級的戰(zhàn)略部署上，所以單憑氮化鎵這一個概念，是不足以支撐整個市場邏輯的！
發(fā)展現(xiàn)狀：在5G通信、新能源汽車、光伏逆變器等應(yīng)用需求的明確牽引下，目前，應(yīng)用領(lǐng)域的頭部企業(yè)已開始使用第三代半導(dǎo)體技術(shù)，也進(jìn)一步提振了行業(yè)信心和堅(jiān)定對第三代半導(dǎo)體技術(shù)路線的投資。
性能升級：專業(yè)名詞咱們就不贅述了，通俗的說，到了第三代半導(dǎo)體材料這兒，更好的化合物出現(xiàn)了，性能優(yōu)勢就在于耐高壓、耐高溫、大功率、抗輻射、導(dǎo)電性能更強(qiáng)、工作速度更快、工作損耗更低。
有一點(diǎn)我覺得需要單獨(dú)提一下：碳化硅與氮化鎵相比較，碳化硅的發(fā)展更早一些，技術(shù)成熟度也更高一些；兩者有一個很大的區(qū)別是熱導(dǎo)率：在高功率應(yīng)用中，碳化硅占據(jù)統(tǒng)治地位；氮化鎵具有更高的電子遷移率，因而能夠比碳化硅具有更高的開關(guān)速度，所以在高頻率應(yīng)用領(lǐng)域，氮化鎵具備優(yōu)勢。
